GAGG: Ce Scintillator, GAGG Crystal, GAGG Scintillation Crystal
מייַלע
● גוט סטאָפּפּינג מאַכט
● הויך ברייטנאַס
● נידעריק אַפטערגלאָוו
● שנעל פאַרפוילן צייַט
אַפּפּליקאַטיאָן
● גאַמאַ אַפּאַראַט
● ליבלינג, פּעם, ספּעקט, קאָרט
● X-Ray & Gamma Ray דיטעקשאַן
● הויך ענערגיע קאַנטיינער דורכקוק
פּראָפּערטיעס
| טיפּ | GAGG-HL | GAGG באַלאַנס | GAGG-FD |
| קריסטאַל סיסטעם | קוביק | קוביק | קוביק |
| געדיכטקייַט (ג / סענטימעטער3) | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| ליכט טראָגן (פאָטאַנז / קעוו) | 60 | 50 | 30 |
| פאַרקלענערן צייט (נס) | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| צענטער ווייוולענגט (נם) | 530 | 530 | 530 |
| מעלטינג פונט (℃) | 2105℃ | 2105℃ | 2105℃ |
| אַטאָמישע קאָואַפישאַנט | 54 | 54 | 54 |
| ענערגיע האַכלאָטע | ＜5% | ＜6% | 7% |
| זיך-ראַדיאַטיאָן | No | No | No |
| היגראָסקאָפּיק | No | No | No |
פּראָדוקט באַשרייַבונג
GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) גאַדאָליניום אַלומינום גאַליום גאַרנעט דאָפּט מיט סעריום.עס איז אַ נייַע סינטילאַטאָר פֿאַר קאַמפּיוטיד טאָמאָגראַפי (SPECT), גאַמאַ-שטראַל און קאָמפּטאָן עלעקטראָן דיטעקשאַן.סעריום דאָפּט GAGG:Ce האט פילע פּראָפּערטיעס וואָס מאַכן עס פּאַסיק פֿאַר גאַמאַ ספּעקטראָסקאָפּי און מעדיציניש ימאַגינג אַפּלאַקיישאַנז.א הויך פאָטאָן טראָגן און ימישאַן שפּיץ אַרום 530 נם מאכט די מאַטעריאַל געזונט פּאַסיק צו לייענען דורך סיליציום פאָטאָ מאַלטאַפּלייער דעטעקטאָרס.עפּאָס קריסטאַל דעוועלאָפּעד 3 מינים פון GAGG: Ce קריסטאַל, מיט פאַסטער פאַרפוילן צייט (GAGG-FD) קריסטאַל, טיפּיש (GAGG-Balance) קריסטאַל, העכער ליכט רעזולטאַט (GAGG-HL) קריסטאַל, פֿאַר די קונה אין פאַרשידענע פעלד.GAGG: Ce איז אַ זייער פּראַמאַסינג ססינטיללאַטאָר אין הויך ענערגיע ינדאַסטרי פעלד, ווען עס איז געווען קעראַקטערייזד אויף לעבן פּרובירן אונטער 115קוו, 3מאַ און די ראַדיאַציע מקור ליגן אין אַ 150 מם ווייַטקייט פון קריסטאַל, נאָך 20 שעה די פאָרשטעלונג איז כּמעט די זעלבע ווי די פריש. איינער.עס מיטל אַז עס האט אַ גוט פּראָספּעקט צו וויטסטאַנד הויך דאָזע אונטער X-Ray יריידייישאַן, פון לויף עס דעפּענדס אויף יריידייישאַן טנאָים און אין פאַל פון גיין ווייַטער מיט GAGG פֿאַר NDT, נאָך פּינטלעך טעסט דאַרף זיין דורכגעקאָכט.חוץ דעם איין GAGG: Ce קריסטאַל, מיר זענען ביכולת צו פּראָדוצירן עס אין לינעאַר און 2 דימענשאַנאַל מענגע, די פּיקסעל גרייס און סעפּאַראַטאָר קען זיין אַטשיווד באזירט אויף פאָדערונג.מיר אויך האָבן דעוועלאָפּעד די טעכנאָלאָגיע פֿאַר די סעראַמיק GAGG:Ce, עס האט בעסער צופאַל ריזאַלווינג צייט (CRT), פאַסטער פאַרפוילן צייט און העכער ליכט רעזולטאַט.
ענערגיע האַכלאָטע: GAGG Dia2”x2”, 8.2% Cs137@662Kev
אַפטערגלאָוו פאָרשטעלונג
ליכט רעזולטאַט פאָרשטעלונג
טיימינג האַכלאָטע: גאַג שנעל פאַרפוילן צייט
(אַ) טיימינג האַכלאָטע: CRT = 193 פּס (FWHM, ענערגיע פֿענצטער: [440keV 550keV])
(אַ) טיימינג האַכלאָטע ווס.פאָרורטייל וואָולטידזש: (ענערגיע פֿענצטער: [440keV 550keV])
ביטע טאָן אַז די שפּיץ ימישאַן פון GAGG איז 520nm בשעת די SiPM סענסאָרס זענען דיזיינד פֿאַר קריסטאַלז מיט 420nm שפּיץ ימישאַן.די PDE פֿאַר 520nm איז 30% נידעריקער קאַמפּערד מיט די PDE פֿאַר 420nm.די CRT פון GAGG קען זיין ימפּרוווד פון 193 פּס (FWHM) צו 161.5 פּס (FWHM) אויב די PDE פון די SiPM סענסאָרס פֿאַר 520 נם וואָלט גלייַכן די PDE פֿאַר 420 נם.
