LaAlO3 סאַבסטרייט
באַשרייַבונג
LaAlO3איין קריסטאַל איז די מערסט וויכטיק ינדאַסטריאַלייזד, גרויס-גרייס הויך-טעמפּעראַטור סופּערקאַנדאַקטינג דין פילם סאַבסטרייט איין קריסטאַל מאַטעריאַל.זיין וווּקס מיט די Czochralski אופֿן, 2 אינטשעס אין דיאַמעטער און גרעסערע איין קריסטאַל און די סאַבסטרייט קענען זיין באקומען.
פּראָפּערטיעס
| קריסטאַל סטרוקטור | מ 6 (נאָרמאַל טעמפּעראַטור) | M3 (>435 ℃) |
| Unit Cell Constant | M6 a=5.357A c=13.22 A | מ3 אַ=3.821 א |
| מעלטינג פונט (℃) | 2080 | |
| געדיכטקייַט (ג / סענטימעטער3) | 6.52 | |
| כאַרדנאַס (מאַהאָ) | 6-6.5 | |
| טערמאַל יקספּאַנשאַן | 9.4x10-6/℃ | |
| דיעלעקטריק קאַנסטאַנץ | ε=21 | |
| סעקאַנט אָנווער (10 גהז) | ～3×10-4@300k, ~0.6×10-4@77k | |
| קאָליר און אויסזען | צו אַנילינג און טנאָים אַנדערש פון ברוין צו בראַוניש | |
| כעמישער סטאַביליטי | צימער טעמפּעראַטור איז נישט סאַליאַבאַל אין מינעראַלס, די טעמפּעראַטור איז העכער ווי 150 ℃ אין סאַליאַבאַל ה3פּאָ4 | |
| קעראַקטעריסטיקס | פֿאַר מיקראָוואַווע עלעקטראָן מיטל | |
| גראָוט מעטאַד | Czochralski אופֿן | |
| גרייס | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, | |
| Ф15, Ф20, Ф1″, Ф2″, Ф2.6″ | ||
| גרעב | 0.5 מם, 1.0 מם | |
| פּאַלישינג | איין אָדער טאָפּל | |
| קריסטאַל אָריענטירונג | ＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ | |
| רעדירעקטיאָן פּרעסיסיאָן | ±0.5° | |
| רידערעקט די עדזש | 2 ° (ספּעציעל אין 1 °) | |
| ווינקל פון קריסטאַליין | ספּעציעלע גרייס און אָריענטירונג זענען בנימצא אויף בעטן | |
| Ra | ≤5 µמ × 5 µm | |
| פּאַק | 100 ריין זעקל, 1000 פּונקט ריין זעקל | |
נידעריק דיעלעקטריק קאָנסטאַנט ס אַדוואַנטידזש
רעדוצירן סיגנאַל דיסטאָרשאַן: אין עלעקטראָניש סערקאַץ און קאָמוניקאַציע סיסטעמען, נידעריק דיעלעקטריק קעסיידערדיק העלפּס מינאַמייז סיגנאַל דיסטאָרשאַן.דיעלעקטריק מאַטעריאַלס קענען ווירקן די פּראַפּאַגיישאַן פון עלעקטריקאַל סיגנאַלז, קאָזינג סיגנאַל אָנווער און פאַרהאַלטן.נידעריק-ק מאַטעריאַלס רעדוצירן די יפעקץ, געבן מער פּינטלעך סיגנאַל טראַנסמיסיע און פֿאַרבעסערן די קוילעלדיק סיסטעם פאָרשטעלונג.
פֿאַרבעסערן ינסאַליישאַן עפעקטיווקייַט: דיעלעקטריק מאַטעריאַלס זענען אָפט געניצט ווי ינסאַלייטערז צו יזאָלירן קאַנדאַקטיוו קאַמפּאָונאַנץ און פאַרמייַדן ליקאַדזש.נידעריק דיעלעקטריק קעסיידערדיק מאַטעריאַלס צושטעלן עפעקטיוו ינסאַליישאַן דורך מינאַמייזינג ענערגיע פאַרפאַלן צו ילעקטראָוסטאַטיק קאַפּלינג צווישן שכייניש קאָנדוקטאָרס.דעם רעזולטאטן אין געוואקסן ענערגיע עפעקטיווקייַט און רידוסט מאַכט קאַנסאַמשאַן פון די עלעקטריקאַל סיסטעם.
