LiAlO2 סאַבסטרייט

די LiAlO2 סאַבסטרייט רעפערס צו אַ סאַבסטרייט געמאכט פון ליטהיום אַלומינום אַקסייד (LiAlO2).LiAlO2 איז אַ קריסטאַליין קאַמפּאַונד וואָס געהערט צו דער פּלאַץ גרופּע R3m און האט אַ טרייאַנגגיאַלער קריסטאַל סטרוקטור.

ליאַלאָ 2 סאַבסטרייץ האָבן שוין געניצט אין אַ פאַרשיידנקייַט פון אַפּלאַקיישאַנז, אַרייַנגערעכנט דין פילם גראָוט, עפּיטאַקסיאַל לייַערס און העטעראָסטרוקטורעס פֿאַר עלעקטראָניש, אָפּטאָילעקטראָניק און פאָטאָניק דעוויסעס.רעכט צו זייַן ויסגעצייכנט גשמיות און כעמישער פּראָפּערטיעס, עס איז ספּעציעל פּאַסיק פֿאַר דער אַנטוויקלונג פון ברייט באַנדגאַפּ סעמיקאַנדאַקטער דעוויסעס.

איינער פון די הויפּט אַפּלאַקיישאַנז פון LiAlO2 סאַבסטרייץ איז אין די פעלד פון גאַליום ניטרידע (GaN) באזירט דעוויסעס אַזאַ ווי הויך עלעקטראָן מאָביליטי טראַנזיסטאָרס (HEMTs) און ליכט ימיטינג דיאָדעס (לעדס).די לאַטאַס מיסמאַטש צווישן LiAlO2 און GaN איז לעפיערעך קליין, וואָס מאכט עס אַ פּאַסיק סאַבסטרייט פֿאַר עפּיטאַקסיאַל וווּקס פון GaN דין פילמס.די LiAlO2 סאַבסטרייט גיט אַ הויך-קוואַליטעט מוסטער פֿאַר GaN דעפּאַזישאַן, ריזאַלטינג אין ימפּרוווד פאָרשטעלונג און רילייאַבילאַטי פון די מיטל.

LiAlO2 סאַבסטרייץ זענען אויך געניצט אין אנדערע פעלדער, אַזאַ ווי דער וווּקס פון פערראָעלעקטריק מאַטעריאַלס פֿאַר זכּרון דעוויסעס, די אַנטוויקלונג פון פּיעזאָעלעקטריק דעוויסעס און די פאַבריקיישאַן פון האַרט-שטאַט באַטעריז.זייער יינציק פּראָפּערטיעס, אַזאַ ווי הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי, גוט מעטשאַניקאַל פעסטקייַט און נידעריק דיעלעקטריק קעסיידערדיק, געבן זיי אַדוואַנטידזשיז אין די אַפּלאַקיישאַנז.

אין קיצער, LiAlO2 סאַבסטרייט רעפערס צו אַ סאַבסטרייט געמאכט פון ליטהיום אַלומינום אַקסייד.LiAlO2 סאַבסטרייץ זענען געניצט אין פאַרשידן אַפּלאַקיישאַנז, ספּעציעל פֿאַר די גראָוט פון GaN-באזירט דעוויסעס און די אַנטוויקלונג פון אנדערע עלעקטראָניש, אָפּטאָילעקטראָניק און פאָטאָניק דעוויסעס.זיי פאַרמאָגן דיזייעראַבאַל גשמיות און כעמישער פּראָפּערטיעס וואָס מאַכן זיי פּאַסיק פֿאַר די דעפּאַזישאַן פון דין פילמס און העטעראָסטראַקטשערז און פֿאַרבעסערן די פאָרשטעלונג פון די מיטל.